Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 70 W

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 18.5ns...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 10 А
• 70 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 60 A
• 7 mOhm
• 70 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 224 pF / 20 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 10 A
• 550 mOhm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 540 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 535 pF / 25 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 2,1 A
• 6,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 485 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 8,5 A
• 430 mOhm
• 70 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 900 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 5,4 A
• 1 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 535 pF / 25 V | Заряд затвора: 26 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 1,85 A
• 8,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 499 pF / 25 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 35 A
• 28 mOhm
• 70 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1600 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 525 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 529 pF / 25 V | Заряд затвора: 16.9 nC / 10 V

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 535 pF / 25 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Isc
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,1 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 1100 pF / 20 V

• 184 A
• 70 W
• 30 В
• 20 В
• ST
• TO-252
• SMD
• Другое

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 1,57 A
• 2,5 A
• 800 В
• 70 W
• 30 В
• 10 A
• 19

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 2,77 A
• 4,4 A
• 525 В
• 70 W
• 60 В
• 17,6 A
• 17

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 1,3 A
• 2,1 A
• 900 В
• 70 W
• 30 В
• 8,4 A
• 19,5

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 16 A
• 23 A
• 100 В
• 70 W
• 20 В
• 92 A
• 30

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 2,5 A
• 4 A
• 600 В
• 70 W
• 30 В
• 16 A
• 18,8