Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные PNP
• ST
• TO-126
• 160 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.5 A
• 250

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,8 A
• 0,25 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• 200 МГц
• 100..300

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Toshiba
• TO-92L
• 50 MHz
• 160 V
• 160 V
• 1.0 А
• 200

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• 100..300
• 0.8 A
• 0,625 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Биполярные PNP
• 200 МГц

• NEC
• Биполярные PNP
• 2 A
• 1,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 80..200

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP

• Luguang Electronic
• Биполярные PNP
• 8 A
• 1,5 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 100..12000

• Yangjie
• Биполярные PNP
• 1,5 A
• 0,3 Вт
• 25 V
• 40 V
• 5 V
• 100 МГц
• 120..350

• Биполярные PNP
• Cj
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 6 А

• Биполярные PNP
• Infineon
• SOT-23
• 80 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.5 A
• 600

• Биполярные PNP
• Philips
• SOT-223
• 114 MHz
• 80 V
• 100 V
• 1.0 А
• 250

• Биполярные PNP
• Yangjie
• SOT-23
• 200 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.6 A
• 300

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT223
• Биполярные PNP
• 80 V
• 100 V
• 1 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1.5 Вт
• 100 - 250
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• 100 MHz
• 250
• 0.5 A
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Биполярные PNP