Транзисторы для электронных компонентов

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Shenzhen Yongerjia Industry Co., Ltd.
• TO-92
• Биполярные PNP
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1 Вт
• 85 - 400
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92
• Биполярные PNP
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1 Вт
• 160 - 300
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,2 А
• 180

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• TOS
• Биполярные PNP
• THT
• TO-264-3
• 230 V
• 3 V
• 160
• 230 V
• 15 A
• 150 W

• TOS
• Биполярные PNP
• THT
• TO-126
• 80 V
• 0.3 V
• 100
• 80 V
• 4 A
• 1.5 W

• TOS
• Биполярные PNP
• THT
• TO-126
• 230 V
• 1.5 V
• 320
• 230 V
• 2 A
• 1.5 W

• TOS
• Биполярные PNP
• THT
• TO-126
• 160 V
• 0.5 V
• 140
• 160 V
• 1.5 A
• 1.5 W

• Sptech
• TO-3PL
• Биполярные PNP
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 200 Вт
• 8 - 75
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Shenzhen Yongerjia Industry Co., Ltd.
• TO-92
• Биполярные PNP
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.625 Вт
• 60 - 400
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Биполярные PNP
• 230 V
• 230 V
• 15 А
• 5 V
• 35 MHz
• 130 Вт
• 70 - 140
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-220
• Биполярные PNP
• 80 V
• 80 V
• 10 А
• 5 V
• 40 MHz
• 70 Вт
• min 40
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• MINOS
• TO-264
• Биполярные PNP
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 200 Вт
• 8 - 80
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• KOREA ELECTRONICS CO. LTD.
• TO-3P
• Биполярные PNP
• 140 V
• 160 V
• 12 А
• 6 V
• 15 MHz
• 100 Вт
• 100 - 200
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92S
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 50 мА
• 250 MHz
• 0.3 Вт
• min 30
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный