Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа THT

• Биполярные NPN
• Sanyo
• TO-220FI
• 800 V
• 1500 V
• 6 A
• 10
• THT

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 12 А
• 20000
• THT

• Полевые N-канальные
• On
• TO-220
• 900 V
• THT
• 2.3 A
• 740

• Биполярные NPN
• TO-92
• 300 MHz
• 30 V
• 30 V
• 0.1 A
• 450
• THT

• Биполярные NPN
• On
• TO-92
• 300 MHz
• 40 V
• 60 V
• 0.2 A
• 300
• THT

• Crmicro
• TO-220
• Другое
• 100 В
• 480 A
• 20 В
• 227 W
• THT
• 28 нс
• 48 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 120 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 109 | Полный...

• Биполярные NPN
• Sptech
• TO-3
• 2.5 MHz
• 60 V
• 100 V
• 15 A
• THT

• 1000
• 5 A
• 80 V
• 80 V
• ST Microelectronics
• TO-220
• THT
• Биполярные NPN

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 60 V
• THT
• 84 A

• Биполярные NPN
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 0.25
• 75
• THT

• Биполярные NPN
• Fairchild
• TO-92
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.8 A
• 300
• THT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 60 V
• THT
• 50 A
• 1500

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• ONS
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 35 V
• 0,005 A
• 50 Ohm
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1 V / 1 µA

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 210 A
• 3,2 mOhm
• 310 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1160 pF / 25 V | Заряд затвора: 239 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 6,5 mOhm
• 164 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 790 pF / 42.5 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V

• Ixys
• TO-220
• Другое
• 85 В
• 300 A
• 15 В
• 298 W
• THT

Примечание: Тип канала: P | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 96 | Полный заряд затвора, нКл: 180 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• BRIDGELUX
• TO-220FP
• Другое
• 650 В
• 16 A
• 30 В
• 37 W
• THT
• 11 нс
• 32.5 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 4 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 2.5 | Полный...