Транзисторы для электронных компонентов. Бренд DIODES. Тип монтажа THT

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 5 А
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 1 А
• 500
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,28 A
• 5 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 5V / 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,45 A
• 2 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 0,12 A
• 30 Ohm
• 500 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,6V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 450 V
• 20 В
• 0,045 A
• 150 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 240 V
• 40 В
• 0,2 A
• 9 Ohm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 200 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3,5V / 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V