Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• Toshiba
• TO-3P
• 30 MHz
• 230 V
• 230 V
• 15 A
• 160
• THT

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 47A (Tc) A
• 70 mOhm
• 417 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 8000 pF / 25 V | Заряд затвора: 270 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 7 A
• 1500 V
• 600 V
• Toshiba
• TO-3P
• THT
• Биполярные NPN

• 7 A
• 1500 V
• 600 V
• Savantic
• TO-3P
• THT
• Биполярные NPN

• 7 A
• 1500 V
• 600 V
• Savantic
• TO-3P
• THT
• Биполярные NPN

• 250 V
• Ixys
• TO-3P
• 60 mOhm
• THT
• 50A
• Полевые N-канальные

Примечание: Входная емкость Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4100/78

• 30 MHz
• 7 A
• 220 V
• 120 V
• TO-3P
• THT
• Биполярные NPN

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Биполярные PNP
• 230 V
• 230 V
• 15 А
• 5 V
• 35 MHz
• 130 Вт
• 70 - 140
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Биполярные NPN
• 230 V
• 230 V
• 15 А
• 5 V
• 60 MHz
• 130 Вт
• 70 - 140
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• SANKEN ELECTRIC
• TO-3P
• Биполярные NPN
• 150 V
• 150 V
• 14 А
• 5 V
• 60 MHz
• 125 Вт
• 70 - 140
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• KOREA ELECTRONICS CO. LTD.
• TO-3P
• Биполярные PNP
• 140 V
• 160 V
• 12 А
• 6 V
• 15 MHz
• 100 Вт
• 100 - 200
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• IGBT
• ST
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 400 V
• 12 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P
• 100 V
• 10 А
• 80 W
• 500

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 175 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 23ns | ...