Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Корпус TO-3P

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 18ns | ...

• On Semiconductor
• TO-3P
• Другое
• 500 В
• 96 A
• 30 В
• 290 W
• THT
• 80 нс
• 200 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 24: | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 15.2 | Полный...