Транзисторы для электронных компонентов

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 120 A
• 7 mOhm
• 150 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3000 pF / 30 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 30 V
• THT
• 140 A

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 12 А
• 20000
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 41 A
• 1700

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 6,5 mOhm
• 164 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 790 pF / 42.5 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 300 V
• 450 V
• 6 А
• 6 V
• 40 Вт
• min 500
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 1000
• 5 A
• 80 V
• 80 V
• ST Microelectronics
• TO-220
• THT
• Биполярные NPN

• Полевые N-канальные
• On
• TO-220
• 900 V
• THT
• 2.3 A
• 740

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 74 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 180 A

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 mOhm
• 85 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2050 pF / 30 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 135 A
• 3,9 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 50 V | Заряд затвора: 125 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Биполярные NPN
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 0.25
• 75
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 150 V
• THT
• 104 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 4 MHz
• 75 Вт
• min 5
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 9,5 A
• 0,95 Ohm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 25 V