Транзисторы для электронных компонентов

• NEC
• TO-3P-ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 5 A
• 4 Ohm
• 120 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 950 pF / 10 V

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 10mA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V