Транзисторы для электронных компонентов. Бренд ONS. Тип монтажа THT

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.08 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 260

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 260

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264
• 350 V
• 15 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 350

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 455 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 123 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 578 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.69 | Время включения: 32ns |...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• IPAK-3
• 80 V
• 8 А
• 60
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время выключения: 4.8us

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 99 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 1100

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 60 V
• 8 А
• 80 W
• 20000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-225
• 60 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 60 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 70 V
• 7 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 294 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 109 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 64ns | Время выключения: 128ns