Транзисторы для электронных компонентов. Тип Биполярные PNP. Hfe 320

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 160 V
• 1,2 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные PNP
• SAN
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 1 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• HIT
• THT
• TO-92MOD
• 80 V
• 1 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• TOS
• THT
• TO-220F
• 230 V
• 1 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 230

• Toshiba
• Биполярные PNP
• 230 V
• 230 V
• 5 V
• 1 A
• 10 Вт
• 70 МГц
• 320

Примечание: Комплементарная пара: TTC011B | Маркировка на корпусе: A006B