Транзисторы для электронных компонентов

• PRISEMI
• SOT23-6
• Биполярные PNP
• 30 V
• 30 V
• 3 А
• 5 V
• 1.2 Вт
• min 100
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Shanghai Belling Co,Ltd.
• SOT23-6
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 6 / 6 А
• 16 / 16 мОм
• 0.5 ... 1.2 V
• 19 / 19 мОм
• 0.7 V
• 1.5 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• NXP Semiconductors
• SOT23-6
• Биполярные NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.6 Вт
• 160 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Diodes Incorporated
• SOT23-6
• Биполярные NPN + PNP
• 60 V
• 80 V
• 1 А
• 7 V
• 180 MHz
• 1.1 Вт
• 100 - 300
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23-6
• 50 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.225 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• ONS-FAIR
• SOT23-6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 1,4 A
• 425 mOhm
• 1.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 344 pF / 75 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT23-6
• SMD
• Полевые P-канальные
• 35 V
• 20 В
• 4,3 A
• 55 mOhm
• 1.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 705 pF / 20 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT23-6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 0,04 A
• 25Ohms
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 600mV / 100 µA | Ёмкость затвора: 6 pF / 5V