Транзисторы для электронных компонентов. Время нарастания (ton) 29 нс

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• 180 A
• Crmicro
• TO-220
• 160 A
• 29 нс
• 78 нс
• 100 В
• 20 В
• 720 A
• 250 W
• 0,0021 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 154 | Маркировка: CRST024N10N4Z

• Ixys
• IGBT
• 1200 V
• 164 A
• 82 A
• 3,2 V
• 1040 Вт
• 215
• 320 А
• есть
• 192 нс
• 29 нс
• 420 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 82 A
• 68 A
• 1,65 V
• 428 Вт
• 290
• есть
• 170 нс
• 150 А
• 29 нс
• 165 н

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,75 V
• 357 Вт
• 150
• есть
• 94 нс
• 200 А
• 29 нс
• 58 н