Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 190 A
• 3,7 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 150µA | Ёмкость затвора: 4340 pF / 25 V | Заряд затвора: 150 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 30 А
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• SMD
• D2PAK
• 236 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 29ns | Время выключения: 46ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 65 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 14.2ns...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.58 | Время выключения: 4.8us

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 11ns | Время выключения: 72ns

• Vishay
• D2PAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 20 A
• 5 mOhm
• 15 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 11300 pF / 25 V | Заряд затвора: 280 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 11 A
• 520 mOhm
• 170 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1423 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8 A
• 850 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1018 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 135 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1857 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 208 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V | Ёмкость затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 0,192 Ohm
• 206 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 55 pF / 0 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V

• TI
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 200 A
• 2 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6620 pF / 30 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 200 A
• 2,4 mOhm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 12000 pF / 50 V | Заряд затвора: 153 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,2 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 905 pF / 25 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 18 A
• 200 mOhm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1055 pF / 100 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 17 A
• 220 mOhm
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1800 pF / 50 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...