Транзисторы для электронных компонентов

• Jsmsemi
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 V
• 110 А
• 80 А
• 2 ... 4 V
• 200 W
• 9.73e-8

• Umw
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 50 А
• 33 А
• 12 мОм
• 16 Ом
• 1 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• VISH/IR
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8 A
• 850 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1018 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 200 A
• 2 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6620 pF / 30 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 140 A
• 5,6 mOhm
• 320 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5.9 nF / 75V | Заряд затвора: 80 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Sptech
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 V
• 110 А
• 80 А
• 2 ... 4 V
• 200 W
• 9.73e-8

• Vishay Intertechnology, Inc.
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 20 V
• 4.5 А
• 2.9 А
• 2 ... 4 V
• 74 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vishay Intertechnology, Inc.
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 20 V
• 5.5 А
• 3.5 А
• 2 ... 4 V
• 74 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vishay Intertechnology, Inc.
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 18 А
• 11 А
• 2 ... 4 V
• 130 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vishay Intertechnology, Inc.
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 131 А
• 75 А
• 2 ... 4 V
• 375 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 14 А
• 7.6 А
• 3 ... 4.5 V
• 3.75 V
• 150 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 18 А
• 11 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• IGBT + Diode
• 650 V
• 15 А
• 30 А
• 20 V
• 142 / 241 нс
• 136 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• IGBT + Diode
• 600 V
• 20 А
• 35 А
• 20 А
• 20 V
• 31 / 50 нс
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Mcc
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 130 А
• 1.2 ... 4 V
• 2 V
• 192 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jsmsemi
• D2PAK
• Полевые P-канальные
• 55 V
• 20 V
• -20 А
• -2 ... -4 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• D2PAK
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 V
• -38 А
• -24 А
• -2 ... -4 V
• 170 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• D2PAK
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 V
• -23 А
• -14 А
• -2 ... -4 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 V
• 106 А
• 75 А
• 2 ... 4 V
• 200 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 180 А
• 127 А
• 2 ... 4 V
• 375 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Fairchild
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 33 А
• 23 А
• 39 мОм
• 43 мОм
• 1 ... 2 V
• 127 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vbsemi
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 80 А
• 80 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 300 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 80 А