Транзисторы для электронных компонентов

• Jsmsemi
• D2PAK
• Полевые P-канальные
• 55 V
• 20 V
• -20 А
• -2 ... -4 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 12ns | ...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,2 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 905 pF / 25 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 16 mOhm
• 110 W
• -65…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1810 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V | Диапазон номинальных...