Транзисторы для электронных компонентов. Страница 4

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.58 | Время выключения: 4.8us

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 16 В
• 180 A
• 4,3 mOhm
• 370 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 11360 pF / 50 V | Заряд затвора: 130 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...