Транзисторы для электронных компонентов. Корпус D2PAK. Ugs max 30 В

• VISH/IR
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8 A
• 850 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1018 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 18 A
• 0,192 Ohm
• 206 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 55 pF / 0 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,2 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 905 pF / 25 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 52 A
• 49 mOhm
• 357 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2900 pF / 25 V | Заряд затвора: 63 nC / 10 V | Диапазон номинальных...