Транзисторы для электронных компонентов

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• A&O
• TO-252
• Другое
• 500 В
• 17 A
• 30 В
• 104 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 5 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 3.1 |...

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 30 В
• 1,3 A
• 9 Ohm
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 939 pF / 25 V | Заряд затвора: 29.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• Crmicro
• Полевые N-канальные
• 14,8 A
• 23 A
• 650 В
• 229 W
• 30 В
• 93 A
• 41

• Luguang Electronic
• Полевые N-канальные
• 7,6 A
• 12 A
• 650 В
• 33,2 W
• 30 В
• 48 A
• 50,5

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 525 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 529 pF / 25 V | Заряд затвора: 16.9 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 11 A
• 380 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1490 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 260 mOhm
• 33.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 74 pF / 0 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• BRIDGELUX
• TO-220FP
• Другое
• 650 В
• 16 A
• 30 В
• 37 W
• THT
• 11 нс
• 32.5 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 4 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 2.5 | Полный...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 13,2 A
• 22 A
• 500 В
• 312,5 W
• 30 В
• 88 A
• 49

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 600 В
• 45 W
• 30 В
• 80 A
• 48

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 6 A
• 650 В
• 45 W
• 30 В
• 24 A
• 20

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 5 A
• 4,2 Ohm
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 106 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-247AC
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 26 A
• 250 mOhm
• 470 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5020 pF / 25 V | Заряд затвора: 180 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8,7 A
• 850 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 527 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8 A
• 850 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1018 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V