Транзисторы для электронных компонентов

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 900 mOhm
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fujitsu
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 900 В
• 205 W
• 30 В
• 36 A
• 50

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V

• TOS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 2200 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 600 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 600 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 600 mOhm
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 9 A
• 0,85 Ohm
• 148 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1038 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,4 Ohm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 9 A
• 850 mOhm
• 44 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1030 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 9 A
• 360 mOhm
• 22 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 140µA | Ёмкость затвора: 555 pF / 400 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 185 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,28 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 90 pF / 25 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 6 A
• 9 A
• 800 В
• 40 W
• 30 В
• 36 A
• 72

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5,8 A
• 9 A
• 700 В
• 50 W
• 30 В
• 33 A

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 900 В
• 250 W
• 30 В
• 27 A
• 46

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 400 В
• 30 W
• 30 В
• 36 A
• 32

• A&O
• Полевые N-канальные
• 6 A
• 9 A
• 900 В
• 50 W
• 30 В
• 34 A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5,7 A
• 9 A
• 500 В
• 178 W
• 30 В
• 27 A
• 24