Транзисторы для электронных компонентов

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 290 mOhm
• 101 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 870 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 260 mOhm
• 33.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 74 pF / 0 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 89 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 220 mOhm
• 131 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 74 pF / 50 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 360 mOhm
• 101 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 54 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 8 A
• 540 mOhm
• 69 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 37 pF / 50 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• MDD
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• Не указан
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 22 A
• 160 mOhm
• 390 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 1.5mA | Ёмкость затвора: 2310 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V

• Wayon
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 13 A
• 0,16 Ohm
• 31 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 0.25mA | Ёмкость затвора: 1775 pF / 100 V | Заряд затвора: 27.3 nC / 10 V

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 24 A
• 145 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2740 pF / 100 V | Заряд затвора: 122 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 280 mOhm
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1640 pF / 100 V | Заряд затвора: 48 nC | Диапазон номинальных напряжений...

• Vbsemi
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 84 pF / 0 V | Заряд затвора: 106 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,65 Ohm
• 106 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 300 pF / 100 V | Заряд затвора: 96 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2322 pF / 100 V | Заряд затвора: 106 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• SILIUP
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20 A
• 190 mOhm
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1745 pF / 50 V | Заряд затвора: 45.5 nC / 10 V

• SILIUP
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20 A
• 190 mOhm
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1745 pF / 50 V | Заряд затвора: 45.5 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 9 A
• 0,85 Ohm
• 148 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1038 pF / 25 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20,7 A
• 190 mOhm
• 39 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3080 pF / 25 V | Заряд затвора: 98 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 440 mOhm
• 38.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3095 pF / 25 V | Заряд затвора: 63 nC / 10 V | Диапазон номинальных...