Транзисторы для электронных компонентов

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 7,2 A
• 850 mOhm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 910 pF / 25 V | Заряд затвора: 32 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,2 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 905 pF / 25 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 1,7 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 490pF / 25V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 14 A
• 235 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 830 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 2,7 A
• 4,3 A
• 800 В
• 110 W
• 30 В
• 17,2 A
• 32,4

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,8 A
• 6 A
• 600 В
• 110 W
• 30 В
• 24 A
• 33

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 500 В
• 110 W
• 30 В
• 24