Транзисторы для электронных компонентов. Корпус D2PAK. Pd 25 200 W

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 135 A
• 4,7 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5110 pF / 25 V | Заряд затвора: 230 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 131 A
• 5,3 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5480 pF / 25 V | Заряд затвора: 260 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 190 A
• 3,7 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 150µA | Ёмкость затвора: 4340 pF / 25 V | Заряд затвора: 150 nC / 10 V | Диапазон номинальных...