Транзисторы для электронных компонентов. Бренд TOS

• TOS
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5 A
• 190 mOhm
• 20 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 630 pF / 10 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• Другое
• TOS

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 0.3us | Время выключения: 0.4us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 600 V
• 80А

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Время включения: 75ns | Время выключения: 400ns

• Биполярные PNP
• TOS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• ВЧ
• TOS

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• 2-10T1A
• 60 V
• 3 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 10 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-92-3
• 0,5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 25

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-220
• 5000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 2 А
• 10000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 7 А
• 8
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-220F
• 40 V
• 3 А
• 2000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-247
• 800 V
• 6 А
• 8
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 60 V
• 5 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-247
• 50 V
• 7 А
• 280
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60