- Популярные
- Время добавления
- Цена
Код: 627878
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3P[N]
- 1000 V
- 50 А
- 150 W
- -55...+150°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...
В наличии
Транзистор IGBT GT30J122A(STA1,E,D
Код: 627877
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3P[N]
- 600 V
- 30 А
- 120 W
- …+150°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 0.30us | Время выключения:...
В наличии
Код: 627876
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3P[N]
- 600 V
- 50 А
- 230 W
- -55…+175°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...
В наличии
Код: 627879
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3P[N]
- 600 V
- 50 А
- 140 W
- -55...+150°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 0.3us | Время выключения: 0.4us
В наличии
Код: 627875
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3PL
- 600 V
- 50 А
- 130 W
- …+150°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1
В наличии
Код: 627880
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3PN
- 1 V
- 50 А
- 156 W
- …+150°C
Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...
В наличии
Транзистор IGBT GT30J65MRB,S1E
Код: 627826
- IGBT
- TOS
- THT
- TO-3PN
- 650 V
- 60 А
- 200 W
- …+175°C
Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Время включения: 75ns | Время выключения: 400ns
В наличии