Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...

• TOS
• SOP-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 150 A
• 0,85 mOhm
• 1 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 9600 pF / 20 V | Заряд затвора: 103 nC / 10 V | Диапазон номинальных...