Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 170 W

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 95 A
• 8 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6800 pF / 25 V | Заряд затвора: 109.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 75 A
• 6,5 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3450 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.77 | Время выключения: 115ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns | Время выключения: 194ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 66 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время выключения: 156ns

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• Vishay
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 11 A
• 520 mOhm
• 170 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1423 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 21 A
• 160 mOhm
• 170 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1500 pF / 100 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 70 A
• 5,2 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 410 pF / 30 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 89 A
• 10 MOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 3600 pF / 25 V | Заряд затвора: 98 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-262
• THT
• Полевые P-канальные
• 55 V
• 20 В
• 42 A
• 20 mOhm
• 170 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3500 pF / 25 V | Заряд затвора: 180 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 89 A
• 9,4 mOhm
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3270 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 9,2 A
• 600 В
• 170 W
• 30 В
• 49

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 72 A
• 55 В
• 170 W
• 20 В
• 130

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 100 A
• 40 В
• 170 W
• 20 В
• 93

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 24 A
• 200 В
• 170 W
• 30 В
• 57

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 500 В
• 170 W
• 30 В
• 52

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 14 A
• 22 A
• 650 В
• 170 W
• 25 В
• 88 A
• 36