Транзисторы для электронных компонентов

• Ir
• TSOP-6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 8,3 A
• 17,5 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.1V / 10µA | Ёмкость затвора: 1010 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SO8-118-0.65
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 8,3 A
• 25 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Заряд затвора: 14 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 8,3 A
• 25 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Заряд затвора: 17 nC / 5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5V

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 5,2 A
• 8,3 A
• 1000 В
• 230 W
• 30 В
• 33,2 A
• 113

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 8,3 A
• 30 В
• 2,5 W
• 12 В
• 14