Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 77 W

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 16 А
• 77 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 13 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 27ns | ...

• Silan Microelectronics
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650V
• 30 В
• 4 A
• 2,7 Ohm
• 77 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 430 pF / 25 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4 A
• 2,4 Ohm
• 77 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 55 pF / 25 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V | Диапазон номинальных...