Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 268 W

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 99 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 76 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 104 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 46ns | ...

• A&O
• Полевые N-канальные
• 110 A
• 140 A
• 60 В
• 268 W
• 20 В
• 450 A
• 65

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 116 A
• 164 A
• 75 В
• 268 W
• 20 В
• 656 A
• 117

• A&O
• Полевые N-канальные
• 78 A
• 100 A
• 75 В
• 268 W
• 25 В
• 200 A
• 136

• A&O
• Полевые N-канальные
• 78 A
• 80 A
• 75 В
• 268 W
• 25 В
• 200 A
• 143