Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 30 W

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 30 А
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 81 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 24.5ns |...

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• 30 W
• 2000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 6 A
• 1 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 100 V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 9,7 A
• 450 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 500µA | Ёмкость затвора: 720 pF / 300 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• ITO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 3 A
• 5 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 740 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 600 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 600 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 12 A
• 445 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 480 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1600 pF / 25 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 14 A
• 299 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1250 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 3,5 A
• 3,7 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1154 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 16 В
• 12 A
• 100 mOhm
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 350 pF / 25 V | Заряд затвора: 10 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые P-канальные
• 55 V
• 20 В
• 21 A
• 40 mOhm
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 240 pF / 30 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 1200 V
• 30 В
• 3 A
• 6 Ohm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1006 pF / 25 V | Заряд затвора: 19.7 nC / 10 V

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Другое
• 30 V
• 16 A
• 14 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10V

• ST Microelectronics
• TO-220FP
• Другое
• 650 В
• 72 A
• 25 В
• 30 W
• THT
• 15 нс
• 61 нс

Примечание: Маркировка на корпусе: 25N60M2EP: | Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 18: | Максимальный ток сток-исток при...

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 17 A
• 30 В
• 30 W
• 16 В
• 68 A
• 4,8

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,75 A
• 1,2 A
• 800 В
• 30 W
• 30 В
• 4,8 A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 14 A
• 100 В
• 30 W
• 20 В
• 25 A
• 5,8

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 0,63 A
• 1 A
• 600 В
• 30 W
• 30 В
• 4 A
• 7

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,1 A
• 1,7 A
• 600 В
• 30 W
• 20 В
• 6,8 A
• 18

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,3 A
• 5,2 A
• 800 В
• 30 W
• 30 В
• 20,8 A
• 40

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 400 В
• 30 W
• 30 В
• 36 A
• 32