Транзисторы для электронных компонентов

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1,5 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 140 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 5V / 10V

• DIODES
• SOT23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 141 pF / 50 V | Заряд затвора: 3.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 0,6 A
• 200 В
• 2 W
• 30 В
• 3,9

• Dc Components
• Полевые N-канальные
• 0,6 A
• 60 В
• 0,7 W
• 20 В
• 8 A
• 4

• Ixys
• Полевые N-канальные
• 0,6 A
• 60 В
• 1,1 W
• 15В