Транзисторы для электронных компонентов

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 35 A
• 99 mOhm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 133 pF / 100 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 35 A
• 28 mOhm
• 70 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1600 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Nexperia
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 35 A
• 35 mOhm
• 85 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 872 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• Ir
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 35 A
• 39 mOhm
• 144 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1750 pF / 50 V | Заряд затвора: 26 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 8 A
• 35 A
• 100 В
• 40 W
• 20 В
• 18

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 25 A
• 35 A
• 100 В
• 91 W
• 20 В
• 140 A
• 39

• A&O
• Полевые N-канальные
• 27 A
• 35 A
• 40 В
• 50 W
• 20 В
• 70 A
• 17

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 35 A
• 150 В
• 144 W
• 20 В
• 26

• Fujitsu
• Полевые N-канальные
• 35 A
• 30 В
• 60 W
• 20 В
• 140 A

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 24 A
• 35 A
• 150 В
• 150 W
• 20 В
• 33