Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 80 W

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 14 mOhm
• 80 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 370 pF / 20 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 60 V
• 8 А
• 80 W
• 20000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 8 А
• 80 W
• 20000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P
• 100 V
• 10 А
• 80 W
• 500

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 10 А
• 80 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220FP
• 100 V
• 12 А
• 80 W
• 100

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 100

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 4 A
• 2 Ohm
• 80 W
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.75V / 250µA | Ёмкость затвора: 490 pF / 25 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 3 A
• 3,5 Ohm
• 80 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 575 pF / 25 V | Заряд затвора: 22.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Siemens
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 3,6 A
• 2,5 Ohm
• 80 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 600 pF / 25 V

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 1,89 A
• 3 A
• 800 В
• 80 W
• 30 В
• 12 A
• 22,5

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 17 A
• 150 В
• 80 W
• 20 В
• 13

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 26 A
• 38 A
• 60 В
• 80 W
• 20 В
• 152 A
• 43

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 94 A
• 30 В
• 80 W
• 20 В
• 60