Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 167 W

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 24.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 20ns...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247AD
• 1200 V
• 21 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 22ns | ...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 100 A
• 3,4 mOhm
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 93µA | Ёмкость затвора: 11000 pF / 30 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 100 A
• 3,1 mOhm
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 93µA | Ёмкость затвора: 13000 pF / 30 V | Заряд затвора: 79 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-220
• THT
• 600 V
• 20 В
• 30 A
• 2,4 Ohm
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.6 V / 250µA | Ёмкость затвора: 1290 pF / 25 V | Заряд затвора: 25.4 nC / 15 V

• IGBT
• Fairchild
• TO-247
• 600 V
• 2.7 V
• 54 A
• 23 A
• 167 W