Транзисторы для электронных компонентов

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 25 В
• 70 A
• 28 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5400 pF / 25 V | Заряд затвора: 175 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 19 A
• 265 mOhm
• 239 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2860 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 25 В
• 55 A
• 26 mOhm
• 155 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 98 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 7 A
• 1,9 Ohm
• 198 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-252(DPAK)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 50 A
• 12,3 mOhm
• 2.4 W
• -55...+155°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2775 pF / 20 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 11 A
• 380 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1490 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 25 В
• 27 A
• 70 mOhm
• 120 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 30 A
• 40 mOhm
• 79 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 945 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10,5 A
• 530 mOhm
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1090 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• SOT23-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 15 V
• 225 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 10nA | Ёмкость затвора: 5 pF / 15 V

• ONS-FAIR
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 26 A
• 42 mOhm
• 63 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1760 pF / 75 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 65 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 54.7 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 14.4ns...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 79 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 20.8ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 265 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 29ns | ...