Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Бренд ONS-FAIR

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 65 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 54.7 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 14.4ns...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 79 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 20.8ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 265 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 153 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 25.6ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 88 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 65ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TOP-3FP
• 600 V
• 80 А
• 115 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 119 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 192 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 40 А
• 277 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 195 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 24ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1400 V
• 40 А
• 272 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 203.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 275 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 140ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.58 | Время выключения: 4.8us

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1300 V
• 60 А
• 500 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9