Транзисторы для электронных компонентов

• ONS-FAIR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 11 A
• 380 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1490 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 47A (Tc) A
• 70 mOhm
• 417 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 8000 pF / 25 V | Заряд затвора: 270 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 8 A
• 1,4 Ohm
• 68 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10,5 A
• 530 mOhm
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1090 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• SOT23-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 15 V
• 225 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 10nA | Ёмкость затвора: 5 pF / 15 V

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 65 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 88 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 65ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 275 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 140ns |...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 150 V
• 1,5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 40 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 137 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247AD
• 1200 V
• 21 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 22ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,4 Ohm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2730 pF / 25 V | Заряд затвора: 58 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 8,6 A
• 1,3 Ohm
• 240 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2700 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 7 A
• 1,9 Ohm
• 198 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 16,5 A
• 380 mOhm
• 205 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1945 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Диапазон номинальных...