Транзисторы для электронных компонентов

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 4 A
• 1500 V
• TO-3PN
• THT
• Биполярные NPN

• Isc
• 5 A
• 1500 V
• TO-3PN
• THT
• Биполярные NPN

• 15 MHz
• 6 A
• 1100 V
• 800 V
• TO-3PN
• THT
• Биполярные NPN

• TRINNO
• TO-3PN
• IGBT + Diode
• 650 V
• 40 А
• 80 А
• 20 V
• 50 / 145 нс
• 283 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 400 V
• 50 V
• 25 А
• 7 V
• 20 MHz
• 160 Вт
• min 10
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 15 - 75
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• SINO-IC
• TO-3PN
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 20 V
• 3 А
• 3 ... 5 V
• 63 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• FeiHong
• TO-3PN
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 50 А
• 31 А
• 2 ... 4 V
• 500 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• FeiHong
• TO-3PN
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 40 А

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 600 V
• 80А

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Время включения: 75ns | Время выключения: 400ns

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 110 V
• 6 А
• 5000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• Биполярные NPN
• Lge
• THT
• TO-3PN
• 160 V
• 12 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-3PN
• 600 V
• 3 А
• 25
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-3PN
• 3 А
• 6
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-3PN
• 1500 V
• 8 А
• 25
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-3PN
• 800 V
• 10 А
• 8
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 80 V
• 6 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.45 | Напряжение коллектор-база, В: 80