Транзисторы для электронных компонентов

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5,8 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 64 A
• 4,5

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 5,8 A
• 30 В
• 2 W
• 20 В
• 12

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 8 V
• 8 В
• 5,8 A
• 35 mOhm
• 960 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 960 pF / 4 V | Заряд затвора: 30 nC / 8 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5,8 A
• 41 mOhm
• 3.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 840 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• MDD
• SOT23-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 5,8 A
• 30 mOhm
• 1.4 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 820 pF / 15 V | Заряд затвора: 9.7 nC / 4.5 V

• MDD
• SOT23-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 5,8 A
• 32 mOhm
• 1.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 15 V | Заряд затвора: 10.5 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 5,8 A
• 45 mOhm
• 2. W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1100 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 3,7 A
• 5,8 A
• 600 В
• 55 W
• 30 В
• 23 A
• 42

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 5,8 A
• 30 В
• 2 W
• 20 В
• 39,3

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,65 A
• 5,8 A
• 900 В
• 140 W
• 30 В
• 23,2 A
• 46,5