Транзисторы для электронных компонентов

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,7 A
• 130 mOhm
• 250 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 226 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 200 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 1,7 A
• 70 mOhm
• 500 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 5 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 1,7 A
• 350 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 290 pF / 25 V | Заряд затвора: 6 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT-223
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 300 mOhm
• 1.8 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 460µA | Ёмкость затвора: 460 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT323
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 1,7 A
• 85 mOhm
• 350 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 390 pF / 15 V | Заряд затвора: 4.82 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1,7 A
• 30 В
• 0,5 W
• 20 В
• 10 A
• 5

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,2 A
• 1,7 A
• 60 В
• 1,3 W
• 10 В
• 14 A
• 8,4

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,1 A
• 1,7 A
• 600 В
• 30 W
• 20 В
• 6,8 A
• 18