Транзисторы для электронных компонентов. Страница 3

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.6 A
• 300
• SMD

• FM
• SO8
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 V
• 6 А
• 4.2 А
• 21 мОм
• 0.5 ... 1 V
• 26 мОм
• 0.75 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NCE
• TO-220
• SMD
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 6 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7900 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 41 A
• 1700

• UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
• SOT89
• Биполярные NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.5 Вт
• 120 - 240
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 1.9
• 12 В
• 8 В
• Vishay

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 200 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 86 A
• 5,8 mOhm
• 75 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2150 pF / 15 V | Заряд затвора: 23 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• A&O
• Полевые P-канальные
• 3,5 A
• 4,3 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 25 A

• Umw
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Jcst
• IGBT
• 650 V
• 60 A
• 30 A
• 1,75 V
• 234 Вт
• 120 А
• есть

• A&O
• Полевые P-канальные
• 31 A
• 40 A
• 40 В
• 62,5 W
• 20 В
• 115 A
• 55

• Umw
• Другое

• Полевые N-канальные
• Umw
• SOT-23
• 50 V
• SMD
• 0.2 A

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 74 A

• 12 A
• Alpha&Omega
• SO-8
• SMD
• 30 В
• 25 В
• 60 A
• 100 A

• 120 A
• Crmicro
• TO-220
• 86 A
• 20.1 нс
• 45.1 нс
• 85 В
• 20 В
• 480 A
• 174 W
• 0,0046 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 55 | Маркировка: CRST055N08N

• SOT-23
• Биполярные NPN
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 6 V
• 100 MHz
• 0.3 Вт
• 120 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 300 V
• 450 V
• 6 А
• 6 V
• 40 Вт
• min 500
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 200 А
• 50 A
• 100 A
• 437 Вт
• Jsmicro
• 20.2 н
• 35 нс
• 134 нс
• есть
• IGBT