Транзисторы для электронных компонентов. Страница 3

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 75 V
• THT
• 140 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 75 A
• 3450

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,8V / 4,5V

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,4 A
• 3,6 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 25 V | Заряд затвора: 11.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 35 V
• 0,005 A
• 50 Ohm
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1 V / 1 µA

• NCE

• MDD
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• Huayi
• DFN5X6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 150 A
• 1,6 Ohm
• 65 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3011 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 24 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

Примечание: высоковольтный

Примечание: высоковольтный

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 22 A
• 500 В
• 277 W
• 30 В
• 120

• Hottech
• Биполярные PNP
• 1 A
• 1,3 Вт
• 80 V
• 100 V
• 5 V
• 50 МГц
• 25..260

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 8 A
• 80 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 4 МГц
• 18..40

• A&O
• Полевые P-канальные
• 2 A
• 2,6 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 20 A
• 5,2

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• есть
• 235 нс
• 60 А

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,6 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 60 V
• 6 V
• 250 МГц
• 40..500

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 8,8 A
• 30 В
• 2,5 W
• 25 В
• 50 A

• Silanmicro
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 2,2 V
• 235 Вт
• 150 А
• есть