Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 41 A
• 1700

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 120 A
• 0,004 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3100 pF / 15 V | Заряд затвора: 257 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Utc
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 108 A
• 5,3 mOhm
• 107 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 500 pF / 25 V | Заряд затвора: 310 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• Diotec
• Биполярные NPN
• 1 A
• 0,5 Вт
• 80 V
• 100 V
• 5 V
• 130 МГц
• 63..250

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,85 V
• 403 Вт
• 117
• 180 А
• есть
• 152 нс
• 66 нс
• 80 н

• 1.9
• 12 В
• 8 В
• Vishay

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 9,5 A
• 0,95 Ohm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 25 V

• Huayi
• DFN5X6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 150 A
• 1,6 Ohm
• 65 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3011 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 24 V | Диапазон номинальных...

• 0.8 А
• 75 V
• 40 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Crmicro
• TO-220
• Другое
• 100 В
• 480 A
• 20 В
• 227 W
• THT
• 28 нс
• 48 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 120 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 109 | Полный...

• Umw
• Другое

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5,8 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 64 A
• 4,5

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• есть
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• IGBT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• 110..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 50 V
• 45 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Не указан
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 180 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 680 pF / 30 V | Заряд затвора: 67 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 60 pF / 30 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Диапазон номинальных...