Транзисторы для электронных компонентов. Ток 15 А

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 25.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 188ns

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 260

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 260

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264
• 350 V
• 15 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 350

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 1200 V
• 15 А
• 110 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 50ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 60 V
• 15 А
• 15
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.1 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 15 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 92 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 17ns | ...

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-3
• 100 V
• 15 А
• 100
• …+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.1 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-3
• 60 V
• 15 А
• 70

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.1 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 13.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 12ns |...

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• 100 V
• 15 А
• 2000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-3PF
• 800 V
• 15 А
• 35
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 15 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500