Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 25.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 188ns

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 260

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 260

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-264
• 350 V
• 15 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 350

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 1200 V
• 15 А
• 110 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 85 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 50ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 60 V
• 15 А
• 15
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.1 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 15 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 92 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-3
• 100 V
• 15 А
• 100
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.1 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-3
• 60 V
• 15 А
• 70

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.1 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 80 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.3 | Напруга колектор-база, В: 90

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 13.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 12ns | Час...

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Біполярні NPN
• NEC
• THT
• 100 V
• 15 А
• 2000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні NPN
• HIT
• THT
• TO-3PF
• 800 V
• 15 А
• 35
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1500

• Біполярні NPN
• SAN
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 15 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1500