Транзисторы для электронных компонентов. Ток 6 А

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.21 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 6 А
• 30
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 6 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.36 | Напряжение коллектор-база, В: 15

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 6 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 125us

• IGBT
• Ir
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 39 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 19.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 24 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.8 | Время включения: 15ns | ...

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• ISOWATT218
• 700 V
• 6 А
• 12
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-220
• 120 V
• 6 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 110 V
• 6 А
• 5000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-247
• 800 V
• 6 А
• 8
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• SOT199
• 800 V
• 6 А
• 6
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• 800 V
• 6 А
• 10
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 80 V
• 6 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.45 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 80 V
• 6 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 80