Транзисторы для электронных компонентов. Ugs max 10 В

• MDD
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 3 A
• 60mOhms
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 30 pF / 10 V | Заряд затвора: 4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 10 В
• 40 A
• 200 mOhm
• 43 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.4 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 10 В
• 1 A
• 540 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 250 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.1 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 10 В
• 4,3 A
• 540 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 250 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.1 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 10 В
• 4 Ohm
• 3 W
• -45…+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 12.5 pF / 7.2 V

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 10 В
• 28 A
• 2,6 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.55V / 250µA | Ёмкость затвора: 3480 pF / 15 V | Заряд затвора: 25 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 10 В
• 14 A
• 10,5 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 700 pF / 15 V | Заряд затвора: 5.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 50 V
• 10 В
• 14 A
• 100 mOhm
• 48 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 61 A
• 13 mOhm
• 89 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 700mV / 250µA | Ёмкость затвора: 2500 pF / 15 V | Заряд затвора: 58 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 0,03 A
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 6.5V / 10mA

• 57 A
• 2.4 W
• 30 В
• 10 В
• Texas Instruments
• SON (2x2)
• SMD
• Другое

• Vishay
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 100 В
• 31 A
• 10 В
• 42 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 7.7 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 4.9 | Полный...

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,8 A
• 2,5 A
• 60 В
• 1,3 W
• 10 В
• 20 A
• 18

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,5 A
• 100 В
• 3,1 W
• 10 В
• 6,1

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,2 A
• 1,7 A
• 60 В
• 1,3 W
• 10 В
• 14 A
• 8,4

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 100 В
• 60 W
• 10 В
• 30 A

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 0,25 A
• 20 В
• 0,15 W
• 10 В
• 0,5 A

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 2,7 A
• 60 В
• 3,1 W
• 10 В
• 8,4

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 4 A
• 5,6 A
• 100 В
• 43 W
• 10 В
• 18 A
• 6,1

• Mcc
• Полевые P-канальные
• 4,2 A
• 20 В
• 1,4 W
• 10 В
• 21 A
• 7,8