• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор полевой MOSFET IPW65R041CFDSale-50%

Транзистор полевой MOSFET IPW65R041CFD

5

Код: 624979

  • INFIN
  • TO-247
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 650 V
  • 20 В
  • 68,5 A
  • 0,041 Ohm
  • 500 W
  • -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

Старая цена 394 грн.

198 грн.Спец. цена 198 грн.

В наличии

Транзистор IGBT YGW60N65F1A2Sale-55%

Транзистор IGBT YGW60N65F1A2

4

Код: 627647

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 312 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

Старая цена 203 грн.

92 грн.Спец. цена 92 грн.

В наличии

Транзистор IGBT CRG75T65AK5HDSale-53%

Транзистор IGBT CRG75T65AK5HD

4

Код: 607731

  • Crmicro
  • TO-247
  • IGBT
  • 650 V
  • 90 A
  • 75 A
  • 468 Вт
  • 1.65 V
  • есть
  • 300 А
  • 300 А
  • 355 нс
  • 120 нс
  • 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

Старая цена 254 грн.

120 грн.Спец. цена 120 грн.

В наличии

Транзистор полевой N-канальный SPW24N60C3Sale-47%

Транзистор полевой N-канальный SPW24N60C3

4

Код: 260976

  • Полевые N-канальные
  • Infineon
  • TO-247
  • 650 V
  • THT
  • 24.3 A
  • 3000

Старая цена 548 грн.

294 грн.Спец. цена 294 грн.

В наличии

Транзистор IGBT CRG40T60AK3HD

Транзистор IGBT CRG40T60AK3HD

4

Код: 607733

  • Crmicro
  • TO-247
  • IGBT
  • 600 V
  • 80 A
  • 40 A
  • 336 Вт
  • 1.9 V
  • есть
  • 120 А
  • 120 А
  • 178 нс
  • 56 нс
  • 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

В наличии

Транзистор IGBT NCE60TD65BT

Транзистор IGBT NCE60TD65BT

5

Код: 627730

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 319 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE40TD60BT

Транзистор IGBT NCE40TD60BT

4

Код: 627670

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 80 А
  • 286 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT FGH40N60SFD

Транзистор IGBT FGH40N60SFD

5

Код: 447000

  • IGBT
  • China
  • TO-247
  • 600 V
  • 2.3 V
  • 80 A
  • 40 A

В наличии

Транзистор IGBT IKW30N60H3 (K30H603)

Транзистор IGBT IKW30N60H3 (K30H603)

5

Код: 607738

  • Infineon
  • TO-247
  • IGBT
  • 600 V
  • 60 A
  • 30 A
  • 187 Вт
  • 1.95 V
  • есть
  • 120 А
  • 120 А
  • 207 нс
  • 21 нс
  • 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

В наличии

Транзистор IPW60R060P7

Транзистор IPW60R060P7

5

Код: 718840

  • Infineon
  • TO-247
  • Полевые N-канальные
  • 600 V
  • 20 V
  • 48 А
  • 30 А
  • 3 ... 4 V
  • 3.5 V
  • 164 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

В наличии

Транзистор IGBT NCE80TD65BT

Транзистор IGBT NCE80TD65BT

4

Код: 627753

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 160 А
  • 390 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор полевой MOSFET NCE65TF099T

Транзистор полевой MOSFET NCE65TF099T

4

Код: 625359

  • NCE
  • TO-247
  • THT
  • Полевые N-канальные
  • 650 V
  • 30 В
  • 38 A
  • 109 mOhm
  • 322 W
  • -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

В наличии

Транзистор IKW20N60T

Транзистор IKW20N60T

4

Код: 718833

  • Infineon
  • TO-247
  • IGBT + Diode
  • 600 V
  • 20 А
  • 40 А
  • 20 V
  • 41 / 176 нс
  • 166 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

В наличии

Транзистор IHW30N120R3

Транзистор IHW30N120R3

4

Код: 718830

  • Infineon
  • TO-247
  • IGBT + Diode
  • 1200 V
  • 30 А
  • 60 А
  • 20 V
  • 349 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

В наличии

Транзистор IKW15N120T2

Транзистор IKW15N120T2

5

Код: 718828

  • Infineon
  • TO-247
  • IGBT + Diode
  • 1200 V
  • 15 А
  • 30 А
  • 25 А
  • 20 V
  • 300 / 460 нс
  • 235 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

В наличии

Транзистор IGBT NCE15TD120BT

Транзистор IGBT NCE15TD120BT

5

Код: 627856

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 30 А
  • 300 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE40TD120VT

Транзистор IGBT NCE40TD120VT

5

Код: 627746

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 80 А
  • 468 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT YGW40N65F1A1

Транзистор IGBT YGW40N65F1A1

4

Код: 627854

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 188 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT YGW75N65HP

Транзистор IGBT YGW75N65HP

4

Код: 627634

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 150 А
  • 375 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 145 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 50ns |...

В наличии

Транзистор IGBT SGT50T65FD1P7

Транзистор IGBT SGT50T65FD1P7

4

Код: 627638

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 100 А
  • 235 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT YGW60N65T1

Транзистор IGBT YGW60N65T1

5

Код: 627648

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 312 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

В наличии

Транзистор IGBT YGW15N120F1A

Транзистор IGBT YGW15N120F1A

5

Код: 627843

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 30 А
  • 260 W
  • -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

В наличии

Транзистор IGBT AOK40B60D1

Транзистор IGBT AOK40B60D1

5

Код: 627779

  • IGBT
  • AOS
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 40 А
  • 111 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT YGW25N135F1A

Транзистор IGBT YGW25N135F1A

4

Код: 627622

  • IGBT
  • LUXIN
  • THT
  • TO-247
  • 1350 V
  • 50 А
  • 260 W
  • -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

В наличии

Страница 1 из 18