- Популярные
- Время добавления
- Цена
Код: 627730
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 650 V
- 120 А
- 319 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627670
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 286 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT IKW30N60H3 (K30H603)
Код: 607738
- Infineon
- TO-247
- IGBT
- 600 V
- 60 A
- 30 A
- 187 Вт
- 1.95 V
- есть
- 120 А
- 120 А
- 207 нс
- 21 нс
- 38 н
Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165
В наличии
Код: 607733
- Crmicro
- TO-247
- IGBT
- 600 V
- 80 A
- 40 A
- 336 Вт
- 1.9 V
- есть
- 120 А
- 120 А
- 178 нс
- 56 нс
- 48 н
Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239
В наличии
Sale-55% Код: 627647
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 120 А
- 312 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...
Старая цена 203 грн.
В наличии
Код: 627843
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 30 А
- 260 W
- -40…+150°C
Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9
В наличии
Транзистор полевой MOSFET NCE65TF099T
Код: 625359
- NCE
- TO-247
- THT
- Полевые N-канальные
- 650 V
- 30 В
- 38 A
- 109 mOhm
- 322 W
- -55...+150°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V
В наличии
Sale-50% Транзистор полевой MOSFET IPW65R041CFD
Код: 624979
- INFIN
- TO-247
- THT
- Полевые N-канальные
- 650 V
- 20 В
- 68,5 A
- 0,041 Ohm
- 500 W
- -55...+150°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V
Старая цена 393 грн.
В наличии
Код: 627856
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 30 А
- 300 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627572
- IGBT
- STARPOWER
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 672 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...
В наличии
Код: 627753
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 650 V
- 160 А
- 390 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
В наличии
Код: 627634
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 150 А
- 375 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 145 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 50ns |...
В наличии
Код: 627638
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 235 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...
В наличии
Транзистор IGBT SGT20T60SDM1P7
Код: 627791
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 40 А
- 46 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...
В наличии
Код: 627648
- IGBT
- LUXIN
- THT
- TO-247
- 650 V
- 120 А
- 312 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...
В наличии
Код: 627779
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 600 V
- 40 А
- 111 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...
В наличии
Код: 627594
- IGBT
- INFIN
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 349 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns | ...
В наличии
Код: 627866
- IGBT
- Magnachip
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 535 W
- -40…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 42ns | ...
В наличии
Код: 627707
- IGBT
- ST
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 283 W
- -55…+175°C
Примечание: Заряд затвора: 226 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 52ns | ...
В наличии
Транзистор полевой MOSFET STW10NK60Z
Код: 625651
- ST
- TO-247
- THT
- Полевые N-канальные
- 600 V
- 30 В
- 10 A
- 750 mOhm
- 156 W
- -55...+150°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...
В наличии
Транзистор полевой MOSFET NCE65NF036T
Код: 625361
- NCE
- TO-247
- THT
- Полевые N-канальные
- 650 V
- 30 В
- 70 A
- 36 mOhm
- 488 W
- -55…+175°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 3mA | Ёмкость затвора: 263 pF / 50 V | Заряд затвора: 102 nC / 10 V
В наличии
Транзистор полевой MOSFET NCE65TF130T
Код: 625343
- NCE
- TO-247
- THT
- Полевые N-канальные
- 650 V
- 30 В
- 28 A
- 130 mOhm
- 260 W
- -55...+150°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V
В наличии
Код: 607732
- Crmicro
- TO-247
- IGBT
- 600 V
- 120 A
- 60 A
- 483 Вт
- 1.85 V
- есть
- 180 А
- 180 А
- 152 нс
- 66 нс
- 57 н
Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117
В наличии