Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• INFIN
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 68,5 A
• 0,041 Ohm
• 500 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO-247
• 650 V
• THT
• 24.3 A
• 3000

• Биполярные PNP
• ST
• TO-247
• 3 MHz
• 100 V
• 140 V
• 25 A
• 50

• Infineon
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 V
• 48 А
• 30 А
• 3 ... 4 V
• 3.5 V
• 164 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• NCE
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 30 В
• 1,3 A
• 9 Ohm
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 939 pF / 25 V | Заряд затвора: 29.3 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• IGBT
• China
• TO-247
• 600 V
• 2.3 V
• 80 A
• 40 A

• Биполярные NPN
• ST
• TO-247
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 25 A
• THT

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 41 / 176 нс
• 166 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 30 А
• 60 А
• 20 V
• 349 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 20 А
• 40 А
• 20 V
• 310 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 15 А
• 30 А
• 25 А
• 20 V
• 300 / 460 нс
• 235 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...