Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 34 A
• 88 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2500 pF / 100 V | Заряд затвора: 57 nC / 10 V

• ST Microelectronics
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 V
• 19.5 А
• 12.3 А
• 3 ... 5 V
• 4 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 V
• 34 А
• 22 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Huayi
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 250 А
• 172 А
• 1 ... 3 V
• 1.8 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Время включения: 42ns | Время выключения: 432ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 128 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 73ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 41 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 44ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 46ns | ...

• Vishay
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 29 A
• 125 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2600 pF / 100 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 16 A
• 299 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1645 pF / 100 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 21 A
• 93 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2500 pF / 100 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST Microelectronics
• TO-247
• Другое
• 600 В
• 72 A
• 136 В
• 250 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 34 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 21 | Полный...

• IGBT
• ST
• TO-247
• 600 V
• 1.65 V
• 70 A
• 45 A
• 250 W

• IGBT
• ST
• TO-247
• 600 V
• 1.7 V
• 80 A
• 40 A
• 250 W