Транзисторы для электронных компонентов. Бренд AOS. Корпус TO-247

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.77 | Время выключения: 115ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 24.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 20ns...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 66 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время выключения: 156ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 128 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 73ns | ...