Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-247. Pd 25 150 W

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 69 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 35ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 350 V
• 10 А
• 150 W
• 150

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 950 V
• 30 В
• 7,2 A
• 1,35 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1031 pF / 100 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 11 A
• 400 mOhm
• 150 W
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1630 pF / 25 V | Заряд затвора: 43.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 18 A
• 190 mOhm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1060 pF / 100 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...