Транзисторы для электронных компонентов

• Silan Microelectronics
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOKMAS
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 V
• 40 А
• 29 А
• 2 ... 4 V
• 3.2 V
• 150 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 350 V
• 10 А
• 150 W
• 150

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 950 V
• 30 В
• 7,2 A
• 1,35 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1031 pF / 100 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 11 A
• 400 mOhm
• 150 W
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1630 pF / 25 V | Заряд затвора: 43.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 18 A
• 190 mOhm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1060 pF / 100 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...